Інші пропозиції FQB44N10TM за ціною від 63.85 грн до 237.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB44N10TM | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQB44N10TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQB44N10TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQB44N10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQB44N10TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQB44N10TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FQB44N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30.8A Power dissipation: 146W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |