Продукція > ONSEMI > FQB4N80TM
FQB4N80TM

FQB4N80TM onsemi

fqi4n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB4N80TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB4N80TM за ціною від 62.58 грн до 267.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+131.30 грн
10+104.07 грн
100+75.21 грн
500+71.94 грн
800+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.72 грн
10+127.36 грн
100+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+267.93 грн
10+171.41 грн
100+102.66 грн
500+85.93 грн
800+79.09 грн
2400+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.30 грн
10+104.07 грн
100+75.21 грн
500+71.94 грн
800+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.72 грн
10+127.36 грн
100+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.93 грн
10+171.41 грн
100+102.66 грн
500+85.93 грн
800+79.09 грн
2400+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.