Продукція > ONSEMI > FQB55N10TM
FQB55N10TM

FQB55N10TM onsemi

FQB55N10-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB55N10TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB.

Інші пропозиції FQB55N10TM за ціною від 67.12 грн до 220.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB55N10TM FQB55N10TM Виробник : onsemi FQB55N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.26 грн
10+90.46 грн
100+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.34 грн
10+96.18 грн
100+71.79 грн
500+69.56 грн
800+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM Виробник : ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.73 грн
5+138.43 грн
10+126.68 грн
25+111.58 грн
50+101.51 грн
100+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM Виробник : onsemi FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.36 грн
10+141.07 грн
100+85.03 грн
500+78.06 грн
800+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.