Продукція > ONSEMI > FQB55N10TM
FQB55N10TM

FQB55N10TM onsemi

FQB55N10-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB55N10TM onsemi

Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 155W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Інші пропозиції FQB55N10TM за ціною від 67.09 грн до 235.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi FQB55N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+90.42 грн
100+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.30 грн
10+96.15 грн
100+71.76 грн
500+69.53 грн
800+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.66 грн
5+138.38 грн
10+126.64 грн
25+111.54 грн
50+101.48 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.91 грн
10+141.44 грн
50+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 7363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.72 грн
10+150.63 грн
100+91.27 грн
500+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.22 грн
10+90.42 грн
100+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.30 грн
10+96.15 грн
100+71.76 грн
500+69.53 грн
800+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.66 грн
5+138.38 грн
10+126.64 грн
25+111.54 грн
50+101.48 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+234.91 грн
10+141.44 грн
50+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 7363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.72 грн
10+150.63 грн
100+91.27 грн
500+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.