| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.17 грн |
| 10+ | 103.40 грн |
| 100+ | 65.93 грн |
| 250+ | 63.42 грн |
| 500+ | 63.36 грн |
| 800+ | 57.78 грн |
| 2400+ | 56.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB5N60CTM-WS onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FQB5N60CTM-WS за ціною від 64.04 грн до 152.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB5N60CTM-WS | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQB5N60CTM_WS | Виробник : ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 4.5A (TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263A) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
FQB5N60CTM-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |