Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQB65N06TM
FQB65N06TM

FQB65N06TM Fairchild Semiconductor

FAIRS17763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB65N06TM Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB65N06TM за ціною від 73.03 грн до 73.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB65N06TM Виробник : ONSEMI FAIRS17763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQB65N06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
FQB65N06TM FQB65N06TM Виробник : ON Semiconductor fqb65n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB65N06TM FQB65N06TM Виробник : onsemi FQB65N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB65N06TM FQB65N06TM Виробник : onsemi / Fairchild FQB65N06-1192473.pdf MOSFETs 60V N-Ch Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.