Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQB8N60CTM
FQB8N60CTM

FQB8N60CTM ON Semiconductor

fqi8n60c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB8N60CTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB8N60CTM за ціною від 83.62 грн до 277.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+116.93 грн
500+105.74 грн
1000+97.27 грн
10000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+116.93 грн
500+105.74 грн
1000+97.27 грн
10000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+116.93 грн
500+105.74 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild FQI8N60C_D-1809625.pdf MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 700 шт:
термін постачання 80-89 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.83 грн
10+164.67 грн
25+136.33 грн
100+118.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+259.07 грн
53+232.06 грн
56+220.27 грн
100+204.95 грн
500+183.74 грн
1000+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.57 грн
10+248.64 грн
25+236.00 грн
100+219.59 грн
500+196.87 грн
1000+183.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : onsemi fqi8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM Виробник : ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.