
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.30 грн |
10+ | 109.72 грн |
100+ | 74.86 грн |
500+ | 61.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB8P10TM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQB8P10TM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
FQB8P10TM | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FQB8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Drain current: -5.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Drain current: -5.7A |
товару немає в наявності |