Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD10N20CTM
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM ON Semiconductor

fqu10n20c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD10N20CTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD10N20CTM за ціною від 39.39 грн до 39.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD10N20CTM Виробник : ON-Semicoductor fqu10n20c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 360mOhm; 7,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB; TPM2007NK3; FQD10N20CTM-JSM; FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM Виробник : ON Semiconductor fqu10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM Виробник : ON Semiconductor fqu10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM Виробник : onsemi fqu10n20c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM Виробник : onsemi / Fairchild FQU10N20C_D-1809760.pdf MOSFET N-CH/200V/10A/QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.