Продукція > ONSEMI > FQD10N20LTM
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM ONSEMI

2907421.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.11 грн
10+89.96 грн
100+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD10N20LTM ONSEMI

Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQD10N20LTM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD10N20LTM FQD10N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3671531895479679fqd10n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM FQD10N20LTM Виробник : onsemi fqd10n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM FQD10N20LTM Виробник : onsemi fqd10n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM FQD10N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD10N20L_D-2314033.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.