Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD10N20LTM
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM ON Semiconductor

3671531895479679fqd10n20l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.73 грн
153+92.94 грн
197+72.11 грн
250+68.82 грн
500+54.97 грн
1000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD10N20LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQD10N20LTM за ціною від 41.94 грн до 105.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD10N20LTM FQD10N20LTM ON Semiconductor 3671531895479679fqd10n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.57 грн
10+94.73 грн
25+92.94 грн
100+69.54 грн
250+63.72 грн
500+52.78 грн
1000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM FQD10N20LTM ONSEMI 2907421.pdf Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM 3671531895479679fqd10n20l-d.pdf
FQD10N20LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.57 грн
10+94.73 грн
25+92.94 грн
100+69.54 грн
250+63.72 грн
500+52.78 грн
1000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20LTM 2907421.pdf
FQD10N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.