Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD11P06TM

FQD11P06TM

fqu11p06-d.pdf
Код товару: 161558
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 32.80 грн до 153.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.77 грн
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.61 грн
1000+57.74 грн
10000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+91.18 грн
250+58.51 грн
1000+56.80 грн
2500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+91.25 грн
172+83.07 грн
251+56.98 грн
253+54.40 грн
500+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.12 грн
5+84.70 грн
10+71.79 грн
22+44.00 грн
60+41.60 грн
100+40.78 грн
250+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 131065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.73 грн
10+81.59 грн
50+61.23 грн
100+51.30 грн
500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+150.50 грн
10+93.56 грн
100+53.50 грн
500+42.44 грн
1000+37.67 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.97 грн
10+91.25 грн
25+83.07 грн
100+54.95 грн
250+50.37 грн
500+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM TECH PUBLIC fqu11p06-d.pdf P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω TPFQD11P06TM TFQD11p06tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.77 грн
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
570+62.61 грн
1000+57.74 грн
10000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+91.18 грн
250+58.51 грн
1000+56.80 грн
2500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+91.25 грн
172+83.07 грн
251+56.98 грн
253+54.40 грн
500+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.12 грн
5+84.70 грн
10+71.79 грн
22+44.00 грн
60+41.60 грн
100+40.78 грн
250+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 131065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.73 грн
10+81.59 грн
50+61.23 грн
100+51.30 грн
500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.50 грн
10+93.56 грн
100+53.50 грн
500+42.44 грн
1000+37.67 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+153.97 грн
10+91.25 грн
25+83.07 грн
100+54.95 грн
250+50.37 грн
500+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
Виробник: TECH PUBLIC
P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω TPFQD11P06TM TFQD11p06tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.