Продукція > ONSEMI > FQD11P06TM
FQD11P06TM

FQD11P06TM onsemi


fqu11p06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.57 грн
5000+30.05 грн
7500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD11P06TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 32.18 грн до 137.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.80 грн
5000+44.49 грн
7500+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.71 грн
500+46.42 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 31961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.66 грн
10+77.51 грн
100+44.24 грн
500+38.41 грн
1000+35.06 грн
2500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.67 грн
10+74.87 грн
100+50.07 грн
500+37.02 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+124.52 грн
50+86.36 грн
100+56.71 грн
500+46.42 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.99 грн
101+125.76 грн
102+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.38 грн
10+136.06 грн
25+134.75 грн
100+128.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM Виробник : ONSEMI fqu11p06-d.pdf FQD11P06TM SMD P channel transistors
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.73 грн
23+53.01 грн
62+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM
Код товару: 161558
Додати до обраних Обраний товар

fqu11p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.