Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD11P06TM

FQD11P06TM

fqu11p06-d.pdf
Код товару: 161558
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 27.08 грн до 140.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.26 грн
5000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.86 грн
5000+45.53 грн
7500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.01 грн
500+41.75 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 31961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.31 грн
10+67.04 грн
100+38.26 грн
500+33.22 грн
1000+30.32 грн
2500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+106.55 грн
6+77.32 грн
10+66.18 грн
50+45.81 грн
100+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 17768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.04 грн
10+66.48 грн
100+35.78 грн
500+30.39 грн
1000+28.94 грн
2500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 66519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.11 грн
10+72.21 грн
100+48.28 грн
500+35.71 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI fqu11p06-d.pdf Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.32 грн
50+82.19 грн
100+54.80 грн
500+39.06 грн
1000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.95 грн
101+128.69 грн
102+127.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.58 грн
10+139.23 грн
25+137.88 грн
100+131.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM Виробник : On Semiconductor fqu11p06-d.pdf MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.