Продукція > ONSEMI > FQD11P06TM
FQD11P06TM

FQD11P06TM onsemi

fqu11p06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.06 грн
5000+28.69 грн
7500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD11P06TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 28.52 грн до 125.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.11 грн
500+42.61 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.15 грн
10+56.48 грн
23+40.69 грн
61+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+71.80 грн
176+69.72 грн
218+56.14 грн
250+53.42 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+80.79 грн
10+66.67 грн
25+64.74 грн
100+50.27 грн
250+45.93 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
10+70.38 грн
23+48.83 грн
61+46.16 грн
1000+45.52 грн
2500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 9341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+71.50 грн
100+47.82 грн
500+35.35 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi / Fairchild fqu11p06-d.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+79.27 грн
25+68.57 грн
100+48.70 грн
500+37.89 грн
1000+35.09 грн
2500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.44 грн
50+83.35 грн
100+57.11 грн
500+42.61 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM
Код товару: 161558
Додати до обраних Обраний товар

fqu11p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.