Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD11P06TM
FQD11P06TM

FQD11P06TM ON Semiconductor

fqu11p06-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.87 грн
5000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD11P06TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 30.84 грн до 124.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.78 грн
5000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+61.48 грн
215+56.41 грн
240+50.48 грн
341+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+81.81 грн
11+65.79 грн
25+60.43 грн
100+52.15 грн
250+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+85.60 грн
158+77.12 грн
200+76.80 грн
500+54.12 грн
1000+49.24 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.28 грн
6+72.85 грн
10+64.72 грн
23+42.32 грн
61+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.12 грн
10+73.21 грн
100+41.78 грн
500+36.88 грн
1000+33.59 грн
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.08 грн
10+71.57 грн
100+47.87 грн
500+35.39 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.54 грн
5+90.78 грн
10+77.66 грн
23+50.79 грн
61+48.01 грн
250+47.25 грн
500+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.46 грн
50+85.49 грн
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM
Код товару: 161558
Додати до обраних Обраний товар

fqu11p06-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : ON Semiconductor fqu11p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM Виробник : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.