FQD12N20LTM-F085 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.69 грн |
| 5000+ | 32.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD12N20LTM-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FQD12N20LTM-F085 за ціною від 35.30 грн до 96.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab |
на замовлення 13410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQD12N20LTM-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |