Продукція > ONSEMI > FQD12N20LTM-F085
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085 onsemi

fqd12n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.05 грн
5000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD12N20LTM-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQD12N20LTM-F085 за ціною від 36.65 грн до 100.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fqd12n20lt_f085-1191370.pdf MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.44 грн
10+81.22 грн
100+55.01 грн
500+46.63 грн
1000+37.94 грн
2500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 Виробник : ONSEMI fqd12n20l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.