Продукція > ONSEMI > FQD12N20LTM-F085P
FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P onsemi

FQD12N20L-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD12N20LTM-F085P onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQD12N20LTM-F085P за ціною від 51.27 грн до 175.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P Виробник : onsemi FQD12N20L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.50 грн
10+108.71 грн
100+74.15 грн
500+55.72 грн
1000+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P Виробник : ON Semiconductor fqd12n20ltm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P Виробник : onsemi / Fairchild FQD12N20L_D-1142617.pdf MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.