Продукція > ONSEMI > FQD12N20LTM
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM onsemi

fqd12n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.11 грн
5000+21.45 грн
7500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD12N20LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD12N20LTM за ціною від 22.97 грн до 100.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.22 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.27 грн
500+30.65 грн
1000+25.74 грн
5000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.66 грн
10+51.65 грн
33+28.59 грн
89+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 11787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.30 грн
10+55.84 грн
100+36.90 грн
500+27.23 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.22 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.56 грн
15+58.52 грн
100+42.27 грн
500+30.65 грн
1000+25.74 грн
5000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.89 грн
5000+56.33 грн
10000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.99 грн
10+64.37 грн
33+34.31 грн
89+32.41 грн
12500+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 27383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.96 грн
10+66.88 грн
25+56.79 грн
100+37.68 грн
500+29.72 грн
1000+26.99 грн
2500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.53 грн
5000+60.32 грн
10000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM Виробник : ON-Semicoductor fqd12n20l-d.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM
Код товару: 126115
Додати до обраних Обраний товар

fqd12n20l-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3661866439160269fqd12n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.