Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

fqd12n20l-d.pdf
Код товару: 126115
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD12N20LTM за ціною від 21.99 грн до 100.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.67 грн
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON-Semiconductor info-tfqd12n20ltm.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.30 грн
500+50.92 грн
1000+47.04 грн
2500+36.40 грн
5000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.92 грн
7+67.11 грн
10+58.83 грн
50+42.59 грн
100+37.32 грн
500+28.12 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 42107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.10 грн
10+60.62 грн
100+40.10 грн
500+29.39 грн
1000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 11958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 41400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.67 грн
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM info-tfqd12n20ltm.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
217+65.30 грн
500+50.92 грн
1000+47.04 грн
2500+36.40 грн
5000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.92 грн
7+67.11 грн
10+58.83 грн
50+42.59 грн
100+37.32 грн
500+28.12 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 42107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.10 грн
10+60.62 грн
100+40.10 грн
500+29.39 грн
1000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 11958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.