Продукція > ONSEMI > FQD12N20LTM
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM onsemi

fqd12n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 22457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.44 грн
5000+19.98 грн
7500+19.15 грн
12500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD12N20LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD12N20LTM за ціною від 19.66 грн до 117.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.97 грн
5000+38.78 грн
7500+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.00 грн
500+30.75 грн
1000+25.54 грн
5000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.97 грн
8+59.16 грн
10+51.66 грн
25+42.83 грн
50+37.16 грн
100+32.50 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.67 грн
10+51.82 грн
100+34.24 грн
500+25.04 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi FQD12N20L-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 15604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.46 грн
10+55.09 грн
100+32.12 грн
500+24.99 грн
1000+22.50 грн
2500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.76 грн
5+73.73 грн
10+62.00 грн
25+51.40 грн
50+44.60 грн
100+39.00 грн
500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.30 грн
13+62.92 грн
100+42.00 грн
500+30.75 грн
1000+25.54 грн
5000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+117.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM Виробник : ON-Semiconductor fqd12n20l-d.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM
Код товару: 126115
Додати до обраних Обраний товар

fqd12n20l-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.