Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD12N20LTM
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM ON Semiconductor

fqd12n20l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD12N20LTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD12N20LTM за ціною від 22.67 грн до 115.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.44 грн
5000+38.25 грн
7500+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.57 грн
500+34.10 грн
1000+28.33 грн
5000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.72 грн
10+58.55 грн
100+38.67 грн
500+28.28 грн
1000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD12N20L-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 22199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.66 грн
10+63.26 грн
100+36.56 грн
500+28.82 грн
1000+25.95 грн
2500+22.83 грн
5000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.68 грн
13+69.77 грн
100+46.57 грн
500+34.10 грн
1000+28.33 грн
5000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+115.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM Виробник : ON-Semiconductor fqd12n20l-d.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM Виробник : ONSEMI fqd12n20l-d.pdf FQD12N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.69 грн
33+36.62 грн
89+34.63 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM
Код товару: 126115
Додати до обраних Обраний товар

fqd12n20l-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3661866439160269fqd12n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Виробник : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.