Продукція > ONSEMI > FQD13N06LTM
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM onsemi

FQU13N06L-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.68 грн
5000+17.22 грн
7500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N06LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD13N06LTM за ціною від 18.35 грн до 82.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.90 грн
10+41.23 грн
39+24.41 грн
105+23.06 грн
500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 11098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.82 грн
10+46.60 грн
100+31.11 грн
500+23.13 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQU13N06L-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.20 грн
10+51.79 грн
25+44.96 грн
100+30.86 грн
500+24.49 грн
1000+21.99 грн
2500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.68 грн
10+51.38 грн
39+29.29 грн
105+27.68 грн
500+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.