Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD13N06LTM
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM ON Semiconductor

fqu13n06l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N06LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQD13N06LTM за ціною від 18.49 грн до 75.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
548+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.74 грн
3000+25.05 грн
5000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.22 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.36 грн
23+32.13 грн
34+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.01 грн
10+44.09 грн
100+32.34 грн
500+25.05 грн
1000+22.73 грн
2500+20.17 грн
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.50 грн
21+44.81 грн
100+33.22 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.85 грн
11+40.10 грн
25+34.60 грн
100+27.85 грн
250+24.18 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : UMW 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.60 грн
10+44.02 грн
100+28.73 грн
500+20.78 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.42 грн
10+49.98 грн
25+41.52 грн
100+33.42 грн
250+29.02 грн
500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : UMW 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.