Продукція > ONSEMI > FQD13N06LTM
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM onsemi

FQU13N06L-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.43 грн
5000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N06LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQD13N06LTM за ціною від 21.16 грн до 81.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+30.36 грн
2500+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.23 грн
22+35.21 грн
32+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.71 грн
11+40.62 грн
25+34.25 грн
100+26.89 грн
250+23.25 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 18973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.18 грн
10+48.99 грн
100+32.13 грн
500+23.35 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi FQU13N06L-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 13391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
465+30.36 грн
2500+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.23 грн
22+35.21 грн
32+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
284+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.71 грн
11+40.62 грн
25+34.25 грн
100+26.89 грн
250+23.25 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQU13N06L-D.PDF
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 18973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.18 грн
10+48.99 грн
100+32.13 грн
500+23.35 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQU13N06L-D.PDF
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 13391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM fqu13n06ld.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.