Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD13N10LTM
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM ON Semiconductor

fqu13n10l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD13N10LTM за ціною від 18.51 грн до 90.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.98 грн
5000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.49 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.48 грн
5000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.18 грн
5000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.06 грн
500+27.35 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+46.41 грн
375+33.14 грн
379+32.81 грн
500+25.94 грн
1000+22.15 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.60 грн
10+43.89 грн
11+39.37 грн
50+29.77 грн
100+26.54 грн
250+23.15 грн
500+21.06 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+62.20 грн
266+46.73 грн
500+46.24 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.73 грн
6+54.69 грн
10+47.24 грн
50+35.72 грн
100+31.85 грн
250+27.78 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.84 грн
15+50.18 грн
25+49.72 грн
100+34.28 грн
250+31.42 грн
500+24.70 грн
1000+22.81 грн
3000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.24 грн
50+52.65 грн
100+36.06 грн
500+27.35 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi / Fairchild 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 236673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.24 грн
10+51.84 грн
100+29.97 грн
500+23.54 грн
1000+21.30 грн
2500+18.74 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.43 грн
10+48.49 грн
100+31.82 грн
500+23.11 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 236642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.41 грн
10+52.55 грн
100+29.97 грн
500+23.54 грн
1000+21.30 грн
2500+18.74 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : UMW c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.48 грн
10+54.94 грн
100+36.20 грн
500+26.43 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : UMW c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.