Продукція > ONSEMI > FQD13N10LTM
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM onsemi

fqu13n10l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.33 грн
5000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD13N10LTM за ціною від 20.40 грн до 108.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM UMW 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.15 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.23 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.81 грн
5000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.89 грн
5000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+53.26 грн
375+38.03 грн
379+37.65 грн
500+29.77 грн
1000+25.42 грн
3000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.38 грн
266+53.63 грн
500+53.06 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.59 грн
15+53.74 грн
25+53.26 грн
100+36.71 грн
250+33.65 грн
500+26.46 грн
1000+24.43 грн
3000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 10213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.39 грн
10+52.36 грн
50+38.85 грн
100+32.34 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.10 грн
7+60.58 грн
10+52.16 грн
41+23.52 грн
111+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM UMW 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
10+54.96 грн
50+40.82 грн
100+34.02 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi fqu13n10l-d.pdf 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 224269 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+108.36 грн
10+65.68 грн
100+37.59 грн
500+29.55 грн
1000+25.30 грн
2500+22.89 грн
5000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI fqu13n10l-d.pdf 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.15 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.23 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.81 грн
5000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.89 грн
5000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
268+53.26 грн
375+38.03 грн
379+37.65 грн
500+29.77 грн
1000+25.42 грн
3000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+71.38 грн
266+53.63 грн
500+53.06 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.59 грн
15+53.74 грн
25+53.26 грн
100+36.71 грн
250+33.65 грн
500+26.46 грн
1000+24.43 грн
3000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 10213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.39 грн
10+52.36 грн
50+38.85 грн
100+32.34 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.10 грн
7+60.58 грн
10+52.16 грн
41+23.52 грн
111+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.02 грн
10+54.96 грн
50+40.82 грн
100+34.02 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 224269 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.36 грн
10+65.68 грн
100+37.59 грн
500+29.55 грн
1000+25.30 грн
2500+22.89 грн
5000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf 6064298d561a1ed56c4ac4671a47b4b7.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.