Продукція > ONSEMI > FQD13N10LTM
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM onsemi

fqu13n10l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD13N10LTM за ціною від 17.29 грн до 86.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.87 грн
5000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.40 грн
5000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.43 грн
5000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.15 грн
5000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.76 грн
500+25.61 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+48.28 грн
375+34.48 грн
379+34.13 грн
500+26.98 грн
1000+23.04 грн
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+64.71 грн
266+48.61 грн
500+48.10 грн
1000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.57 грн
50+49.29 грн
100+33.76 грн
500+25.61 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+69.53 грн
15+52.20 грн
25+51.73 грн
100+35.66 грн
250+32.69 грн
500+25.70 грн
1000+23.73 грн
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.50 грн
8+52.87 грн
10+45.82 грн
50+31.89 грн
100+27.53 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.30 грн
10+45.40 грн
100+29.79 грн
500+21.64 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : UMW c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.71 грн
10+51.44 грн
100+33.89 грн
500+24.75 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 228488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.22 грн
10+53.24 грн
100+30.47 грн
500+23.64 грн
1000+21.41 грн
2500+17.78 грн
10000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : UMW c87b07a642becaba18e0d5aa70042bc4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.