Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD13N10LTM
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM ON Semiconductor

fqu13n10l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD13N10LTM за ціною від 18.21 грн до 72.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.88 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.38 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.37 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.06 грн
5000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.47 грн
500+26.90 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+46.19 грн
375+32.99 грн
379+32.66 грн
500+25.81 грн
1000+22.04 грн
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.70 грн
10+43.17 грн
11+38.73 грн
50+29.28 грн
100+26.11 грн
250+22.78 грн
500+20.71 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.90 грн
266+46.51 грн
500+46.02 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.46 грн
10+43.97 грн
100+30.05 грн
500+22.57 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.64 грн
6+53.80 грн
10+46.47 грн
50+35.14 грн
100+31.33 грн
250+27.33 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.52 грн
15+49.94 грн
25+49.49 грн
100+34.11 грн
250+31.27 грн
500+24.59 грн
1000+22.70 грн
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : onsemi / Fairchild 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 237387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.00 грн
10+47.66 грн
100+28.34 грн
500+23.16 грн
1000+20.95 грн
2500+18.44 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.05 грн
50+51.79 грн
100+35.47 грн
500+26.90 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.