Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD13N10LTM

FQD13N10LTM ON Semiconductor

Name: FQD13N10LTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: 30513274-5
Price: 50725.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQD13N10LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD13N10LTM за ціною від 19.16 грн до 96.60 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

на замовлення 4485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	23.03 грн
5000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	23.56 грн
5000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	24.60 грн
5000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.32 грн
5000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	32.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0003587867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	37.33 грн
500+	28.31 грн
1000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
268+	48.61 грн
375+	34.71 грн
379+	34.37 грн
500+	27.17 грн
1000+	23.20 грн
3000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
200+	65.15 грн
266+	48.95 грн
500+	48.43 грн
1000+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	70.00 грн
15+	52.55 грн
25+	52.08 грн
100+	35.90 грн
250+	32.91 грн
500+	25.87 грн
1000+	23.89 грн
3000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	75.82 грн
50+	54.50 грн
100+	37.33 грн
500+	28.31 грн
1000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : onsemi / Fairchild

0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf

MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

на замовлення 236673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	82.03 грн
10+	53.66 грн
100+	31.03 грн
500+	24.37 грн
1000+	22.05 грн
2500+	19.40 грн
5000+	19.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

на замовлення 4554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	83.26 грн
10+	50.19 грн
100+	32.94 грн
500+	23.93 грн
1000+	21.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : onsemi

MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

на замовлення 236642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	85.31 грн
10+	54.40 грн
100+	31.03 грн
500+	24.37 грн
1000+	22.05 грн
2500+	19.40 грн
5000+	19.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	93.67 грн
10+	56.88 грн
100+	37.47 грн
500+	27.36 грн
1000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : ONSEMI

FQD13N10LTM SMD N channel transistors

на замовлення 1748 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	96.60 грн
42+	28.56 грн
115+	26.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQD13N10LTM

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.