Продукція > ONSEMI > FQD13N10TM
FQD13N10TM

FQD13N10TM onsemi

FQD13N10-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 67183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.59 грн
5000+22.46 грн
7500+21.83 грн
12500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD13N10TM за ціною від 23.20 грн до 51.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor 3653754725136542fqd13n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : onsemi FQD13N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 67460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
10+36.10 грн
100+32.04 грн
500+28.09 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD13N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.31 грн
10+42.38 грн
100+32.68 грн
500+31.16 грн
1000+27.90 грн
2500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM Виробник : ONSEMI FQD13N10-D.pdf FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor 3653754725136542fqd13n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor 3653754725136542fqd13n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.