Продукція > ONSEMI > FQD13N10TM
FQD13N10TM

FQD13N10TM onsemi

FQD13N10-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 67183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.53 грн
5000+22.39 грн
7500+21.77 грн
12500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N10TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD13N10TM за ціною від 22.23 грн до 47.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd13n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor 3653754725136542fqd13n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd13n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd13n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : onsemi FQD13N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 67460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.17 грн
10+36.00 грн
100+31.95 грн
500+28.01 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD13N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.02 грн
10+39.04 грн
100+30.17 грн
500+28.13 грн
1000+25.56 грн
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd13n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd13n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B265CCF24259&compId=FQD13N10.pdf?ci_sign=13de686582c24a4ab29917e062128aec721805bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197B265CCF24259&compId=FQD13N10.pdf?ci_sign=13de686582c24a4ab29917e062128aec721805bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.