
FQD13N10TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 22.89 грн |
5000+ | 21.26 грн |
7500+ | 21.05 грн |
12500+ | 19.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD13N10TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD13N10TM за ціною від 21.41 грн до 48.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQD13N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQD13N10TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 70287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQD13N10TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQD13N10TM | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FQD13N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD13N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |