Продукція > ONSEMI > FQD16N25CTM
FQD16N25CTM

FQD16N25CTM onsemi

fqd16n25c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+33.40 грн
5000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD16N25CTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQD16N25CTM за ціною від 29.68 грн до 135.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD16N25CTM FQD16N25CTM onsemi / Fairchild FQD16N25C-D.pdf MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 16719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.35 грн
10+65.99 грн
100+44.45 грн
500+35.16 грн
1000+32.14 грн
2500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM onsemi fqd16n25c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 107974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.96 грн
10+78.85 грн
100+52.96 грн
500+39.28 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI ONSM-S-A0003589994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.56 грн
10+85.33 грн
100+54.73 грн
500+42.05 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM onsemi fqd16n25c-d.pdf MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 9019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.38 грн
10+77.24 грн
100+47.54 грн
500+39.10 грн
1000+35.80 грн
2500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM ONN fqd16n25c-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25C-D.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 16719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.35 грн
10+65.99 грн
100+44.45 грн
500+35.16 грн
1000+32.14 грн
2500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM fqd16n25c-d.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 107974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.96 грн
10+78.85 грн
100+52.96 грн
500+39.28 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM ONSM-S-A0003589994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.56 грн
10+85.33 грн
100+54.73 грн
500+42.05 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM fqd16n25c-d.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 9019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.38 грн
10+77.24 грн
100+47.54 грн
500+39.10 грн
1000+35.80 грн
2500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM fqd16n25c-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.