FQD17N08LTF Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
888+ | 22.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD17N08LTF Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD17N08LTF за ціною від 34.08 грн до 34.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQD17N08LTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQD17N08LTF |
на замовлення 19914 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
FQD17N08LTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |