Продукція > ONSEMI > FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM onsemi

fqd18n20v2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD18N20V2TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD18N20V2TM за ціною від 34.50 грн до 125.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI 2304721.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.52 грн
500+51.18 грн
1000+43.23 грн
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.67 грн
10+69.50 грн
19+50.55 грн
51+47.39 грн
250+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.73 грн
10+80.17 грн
100+55.35 грн
500+42.14 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD18N20V2-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 25386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.77 грн
10+87.02 грн
100+52.24 грн
500+40.49 грн
1000+38.21 грн
2500+35.18 грн
5000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.40 грн
10+86.61 грн
19+60.66 грн
51+56.87 грн
250+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI 2304721.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.89 грн
10+93.56 грн
100+66.52 грн
500+51.18 грн
1000+43.23 грн
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.