Продукція > ONSEMI > FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM onsemi

fqd18n20v2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+36.10 грн
5000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD18N20V2TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Інші пропозиції FQD18N20V2TM за ціною від 31.13 грн до 144.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI fqd18n20v2-d.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.77 грн
500+39.11 грн
1000+35.48 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
10+63.98 грн
100+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild FQD18N20V2-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 25370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+79.23 грн
100+47.56 грн
500+35.97 грн
1000+33.90 грн
2500+31.27 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI fqd18n20v2-d.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.31 грн
12+71.36 грн
100+49.77 грн
500+39.11 грн
1000+35.48 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.28 грн
100+56.82 грн
500+42.30 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi fqd18n20v2-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 22187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+81.77 грн
100+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.77 грн
500+39.11 грн
1000+35.48 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+98.44 грн
10+63.98 грн
100+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2-D.PDF
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 25370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.31 грн
10+79.23 грн
100+47.56 грн
500+35.97 грн
1000+33.90 грн
2500+31.27 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.31 грн
12+71.36 грн
100+49.77 грн
500+39.11 грн
1000+35.48 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.46 грн
10+84.28 грн
100+56.82 грн
500+42.30 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 22187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.17 грн
10+81.77 грн
100+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.