Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD19N10TM
FQD19N10TM

FQD19N10TM ON Semiconductor

fqd19n10jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+47.06 грн
314+38.87 грн
500+33.26 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD19N10TM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD19N10TM за ціною від 23.91 грн до 50.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD19N10TM FQD19N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+50.34 грн
14+46.17 грн
100+38.14 грн
500+31.46 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM FQD19N10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD19N10_D-2313744.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 13231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM Виробник : FAIRCHILD fqd19n10-d.pdf TO-252 0715+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM Виробник : FSC fqd19n10-d.pdf 09+ DIP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM FQD19N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM Виробник : ON Semiconductor fqd19n10jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM Виробник : ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM FQD19N10TM Виробник : onsemi fqd19n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM FQD19N10TM Виробник : onsemi fqd19n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.