FQD1N60CTM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 9264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1110+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD1N60CTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQD1N60CTM за ціною від 15.51 грн до 59.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD1N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD1N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD1N60CTM | Виробник : Fairchild |
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FQD1N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |