
FQD1N60CTM ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
334+ | 36.45 грн |
411+ | 29.66 грн |
500+ | 24.68 грн |
1000+ | 19.87 грн |
2500+ | 17.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD1N60CTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQD1N60CTM за ціною від 15.70 грн до 65.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQD1N60CTM | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQD1N60CTM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FQD1N60CTM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |