Продукція > FAIRCHILD > FQD1N60CTM
FQD1N60CTM

FQD1N60CTM Fairchild

info-tfqd1n60ctm.pdf
Виробник: Fairchild
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD1N60CTM Fairchild

Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQD1N60CTM за ціною від 19.78 грн до 49.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD1N60CTM FQD1N60CTM ON Semiconductor fqu1n60cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+42.36 грн
411+34.46 грн
500+28.67 грн
1000+23.09 грн
2500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM ON Semiconductor fqu1n60cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.95 грн
17+45.36 грн
100+36.91 грн
500+29.61 грн
1000+22.90 грн
2500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM onsemi / Fairchild FQU1N60C_D-1809941.pdf MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM ONSEMI 2304426.pdf Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60cjp-d.pdf
FQD1N60CTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
334+42.36 грн
411+34.46 грн
500+28.67 грн
1000+23.09 грн
2500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60cjp-d.pdf
FQD1N60CTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.95 грн
17+45.36 грн
100+36.91 грн
500+29.61 грн
1000+22.90 грн
2500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQU1N60C_D-1809941.pdf
FQD1N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM 2304426.pdf
FQD1N60CTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.