Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD1N60CTM
FQD1N60CTM

FQD1N60CTM ON Semiconductor

fqu1n60cjp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+36.54 грн
411+29.73 грн
500+24.74 грн
1000+19.92 грн
2500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD1N60CTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQD1N60CTM за ціною від 15.74 грн до 65.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu1n60cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+40.01 грн
17+36.34 грн
100+29.57 грн
500+23.72 грн
1000+18.34 грн
2500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild FQU1N60C_D-1809941.pdf MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.51 грн
10+55.84 грн
100+37.30 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : ONSEMI 2304426.pdf Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.69 грн
15+56.20 грн
100+39.37 грн
500+28.89 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM Виробник : Fairchild fqu1n60c-d.pdf N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu1n60cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM Виробник : ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : onsemi fqu1n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM Виробник : onsemi fqu1n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM Виробник : ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.