Продукція > FAIRCHILD > FQD1N80TM
FQD1N80TM

FQD1N80TM Fairchild

info-tfqd1n80tm.pdf
Виробник: Fairchild
FQD1N80TM Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; TFQD1n80tm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-60 дні (днів)
Мінімальна партія: 34 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD1N80TM Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD1N80TM за ціною від 26.35 грн до 118.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.45 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM ONSEMI FQD1N80.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.63A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.71 грн
12+36.20 грн
100+32.60 грн
500+30.43 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi / Fairchild FQU1N80-D.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+94.21 грн
10+60.74 грн
100+36.89 грн
500+33.11 грн
1000+30.15 грн
2500+27.63 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.76 грн
10+72.45 грн
50+54.34 грн
100+45.49 грн
500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.45 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80.pdf
FQD1N80TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.63A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.71 грн
12+36.20 грн
100+32.60 грн
500+30.43 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQU1N80-D.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.21 грн
10+60.74 грн
100+36.89 грн
500+33.11 грн
1000+30.15 грн
2500+27.63 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.76 грн
10+72.45 грн
50+54.34 грн
100+45.49 грн
500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.