Продукція > ONSEMI > FQD1N80TM
FQD1N80TM

FQD1N80TM onsemi

fqu1n80-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.12 грн
5000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD1N80TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD1N80TM за ціною від 16.82 грн до 97.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD1N80TM FQD1N80TM Виробник : onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+57.67 грн
100+40.28 грн
500+33.26 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM Виробник : onsemi / Fairchild FQU1N80-D.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.11 грн
10+62.62 грн
100+38.03 грн
500+34.14 грн
1000+31.08 грн
2500+28.49 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM Виробник : Fairchild fqu1n80-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM Виробник : ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM Виробник : ON Semiconductor fqu1n80-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM Виробник : ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM Виробник : ON Semiconductor fqu1n80-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.