FQD20N06 UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.87 грн |
| 10+ | 50.80 грн |
| 50+ | 37.62 грн |
| 100+ | 31.31 грн |
| 500+ | 24.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD20N06 UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.
Інші пропозиції FQD20N06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQD20N06 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FQD20N06 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs QF 60V 63MOHM DPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FQD20N06 |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQD20N06 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs QF 60V 63MOHM DPAK
MOSFETs QF 60V 63MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.