| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.08 грн |
| 10+ | 111.71 грн |
| 100+ | 65.64 грн |
| 500+ | 53.08 грн |
| 1000+ | 47.53 грн |
| 2500+ | 44.41 грн |
| 5000+ | 42.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD2N100TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD2N100TM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N100TM | Виробник : ONN |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FQD2N100TM | Виробник : ONS/FAI |
PBF, TO-252 (reel) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
FQD2N100TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQD2N100TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |