FQD2N60CTM

FQD2N60CTM ON Semiconductor


fqu2n60c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 182500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.90 грн
5000+21.68 грн
7500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD2N60CTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD2N60CTM за ціною від 22.23 грн до 90.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.50 грн
5000+23.26 грн
7500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.99 грн
10+53.41 грн
100+35.80 грн
500+26.78 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild fqu2n60c-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.98 грн
10+58.80 грн
100+34.65 грн
500+28.69 грн
1000+25.75 грн
2500+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM Виробник : Fairchild fqu2n60c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.