Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD2N60CTM
FQD2N60CTM

FQD2N60CTM ON Semiconductor

fqu2n60c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD2N60CTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD2N60CTM за ціною від 21.92 грн до 87.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.46 грн
5000+31.19 грн
7500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.90 грн
5000+33.53 грн
7500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.78 грн
10+55.21 грн
100+37.01 грн
500+27.11 грн
1000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild FQU2N60C-D.PDF N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.31 грн
10+59.89 грн
100+34.98 грн
500+27.87 грн
1000+25.12 грн
2500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM Виробник : Fairchild fqu2n60c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197CE191E180259&compId=FQD2N60C.pdf?ci_sign=800889f39b1e79a5aae05db2ab54ee57a0ec617e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.