FQD2N60CTM Fairchild
Виробник: FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 24.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD2N60CTM Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD2N60CTM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD2N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
| FQD2N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
 |
FQD2N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FQD2N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FQD2N60CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FQD2N60CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQD2N60CTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET |
товар відсутній |
|
 |
FQD2N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.14A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |