Продукція > ONSEMI > FQD2N90TM
FQD2N90TM

FQD2N90TM onsemi

fqu2n90tu_am002-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.13 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD2N90TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm.

Інші пропозиції FQD2N90TM за ціною від 48.24 грн до 154.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
10000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.90 грн
139+101.86 грн
168+84.62 грн
250+80.78 грн
500+55.02 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.44 грн
10+107.04 грн
50+100.78 грн
100+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.44 грн
133+107.04 грн
141+100.78 грн
176+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ON Semiconductor fqu2n90tuam002d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.11 грн
10+112.90 грн
25+101.86 грн
100+81.59 грн
250+74.79 грн
500+52.82 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.10 грн
50+71.98 грн
100+60.54 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
10000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.90 грн
139+101.86 грн
168+84.62 грн
250+80.78 грн
500+55.02 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.44 грн
10+107.04 грн
50+100.78 грн
100+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+134.44 грн
133+107.04 грн
141+100.78 грн
176+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tuam002d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+151.11 грн
10+112.90 грн
25+101.86 грн
100+81.59 грн
250+74.79 грн
500+52.82 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.41 грн
10+95.10 грн
50+71.98 грн
100+60.54 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQU2N90TU_AM002-D.PDF
FQD2N90TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQU2N90TU_AM002-D.PDF
FQD2N90TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.