Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD2P40TM
FQD2P40TM

FQD2P40TM ON Semiconductor

fqd2p40-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.41 грн
5000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD2P40TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FQD2P40TM за ціною від 25.76 грн до 74.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.26 грн
5000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : onsemi fqd2p40-d.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ON Semiconductor 3671774170264606fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : onsemi fqd2p40-d.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+51.76 грн
100+41.24 грн
500+31.13 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.54 грн
15+57.71 грн
100+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : onsemi / Fairchild fqd2p40-d.pdf MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
на замовлення 21362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.06 грн
10+58.83 грн
100+40.81 грн
250+40.73 грн
500+32.81 грн
1000+28.77 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ONSEMI fqd2p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM Виробник : ONSEMI fqd2p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.