Продукція > ONSEMI > FQD2P40TM
FQD2P40TM

FQD2P40TM onsemi

fqd2p40-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD2P40TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm.

Інші пропозиції FQD2P40TM за ціною від 29.89 грн до 110.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.61 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
5000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40-d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi fqd2p40-d.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.27 грн
10+67.03 грн
100+44.57 грн
500+32.80 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi fqd2p40-d.pdf MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi / Fairchild FQD2P40-D.pdf MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
на замовлення 18929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM ONN fqd2p40-d.pdf
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.61 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.72 грн
5000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.27 грн
10+67.03 грн
100+44.57 грн
500+32.80 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM 2572546.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40-D.pdf
FQD2P40TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
на замовлення 18929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM 2572546.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.