Продукція > ONSEMI > FQD30N06TM
FQD30N06TM

FQD30N06TM onsemi

fqd30n06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD30N06TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD30N06TM за ціною від 30.16 грн до 74.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : onsemi fqd30n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+47.02 грн
100+42.86 грн
500+35.08 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : onsemi / Fairchild fqd30n06-d.pdf MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 12418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.06 грн
10+57.56 грн
100+41.54 грн
500+34.71 грн
1000+32.00 грн
2500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM Виробник : ON Semiconductor fqd30n06-d.pdf
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : ON Semiconductor fqd30n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : ON Semiconductor fqd30n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM Виробник : ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.