на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.74 грн |
| 10+ | 73.76 грн |
| 100+ | 57.53 грн |
| 500+ | 44.6 грн |
| 1000+ | 35.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD3N60CTM-WS onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 1.5A, Pulsed drain current: 9.6A, Power dissipation: 50W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQD3N60CTM-WS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD3N60CTM-WS | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FQD3N60CTM-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
товар відсутній |
|
 |
FQD3N60CTM-WS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET |
товар відсутній |
|
|
|
FQD3N60CTM-WS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |