
FQD3P50TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 41.47 грн |
5000+ | 37.24 грн |
7500+ | 37.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD3P50TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 41.28 грн до 130.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 23nC Technology: QFET® Drain current: -1.33A |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 9466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 44519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 23nC Technology: QFET® Drain current: -1.33A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM Код товару: 86765
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |