FQD3P50TM

FQD3P50TM onsemi


fqd3p50tm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.06 грн
5000+36.87 грн
7500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD3P50TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 39.08 грн до 144.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.33 грн
10+81.32 грн
18+53.41 грн
49+50.22 грн
500+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.98 грн
10+89.13 грн
100+60.24 грн
500+44.89 грн
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.99 грн
10+101.33 грн
18+64.10 грн
49+60.27 грн
500+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi / Fairchild fqd3p50tm-d.pdf MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 39478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.75 грн
10+91.53 грн
100+56.71 грн
500+47.22 грн
1000+43.55 грн
2500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FAIRS45207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.23 грн
10+105.60 грн
100+72.12 грн
500+53.25 грн
1000+45.04 грн
5000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM
Код товару: 86765
Додати до обраних Обраний товар

fqd3p50tm-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.