Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 33.97 грн до 156.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD3P50TM | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD3P50TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V P-Channel QFET |
на замовлення 31566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD3P50TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 496 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 14427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 500V P-Channel QFET |
на замовлення 26836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD3P50TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |