Продукція > ONSEMI > FQD3P50TM
FQD3P50TM

FQD3P50TM onsemi

fqd3p50tm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.95 грн
5000+37.67 грн
7500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD3P50TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 39.79 грн до 148.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi / Fairchild 3813F8831C508E547A336DB99BEDED9F4D7E0DA2D2895DFB0CF1299786849D09.pdf MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 31566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.17 грн
10+83.88 грн
100+54.87 грн
500+44.56 грн
1000+41.55 грн
2500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FAIRS45207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.08 грн
10+93.39 грн
100+69.11 грн
500+53.52 грн
1000+47.11 грн
5000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 14427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+91.09 грн
100+61.54 грн
500+45.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM Виробник : ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf FQD3P50TM SMD P channel transistors
на замовлення 675 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.95 грн
18+66.40 грн
49+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM
Код товару: 86765
Додати до обраних Обраний товар

fqd3p50tm-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.