Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FQD3P50TM

FQD3P50TM

fqd3p50tm-d.pdf
Код товару: 86765
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 38.54 грн до 181.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.88 грн
5000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+82.03 грн
177+80.97 грн
209+68.37 грн
250+65.27 грн
500+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.89 грн
500+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.48 грн
10+82.03 грн
25+80.97 грн
100+65.93 грн
250+60.43 грн
500+51.13 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.9Ω
Power dissipation: 50W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.75 грн
10+55.42 грн
25+52.11 грн
50+51.28 грн
100+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.74 грн
10+92.68 грн
50+70.02 грн
100+58.85 грн
500+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi fqd3p50tm-d.pdf MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 67543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+172.73 грн
10+107.89 грн
100+63.03 грн
500+51.53 грн
1000+46.18 грн
2500+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ON Semiconductor fqd3p50tmd.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.31 грн
250+113.03 грн
500+97.71 грн
1000+75.11 грн
2500+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FAIRS45207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.88 грн
5000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
174+82.03 грн
177+80.97 грн
209+68.37 грн
250+65.27 грн
500+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
421+84.89 грн
500+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.48 грн
10+82.03 грн
25+80.97 грн
100+65.93 грн
250+60.43 грн
500+51.13 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.9Ω
Power dissipation: 50W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.75 грн
10+55.42 грн
25+52.11 грн
50+51.28 грн
100+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.74 грн
10+92.68 грн
50+70.02 грн
100+58.85 грн
500+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 67543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.73 грн
10+107.89 грн
100+63.03 грн
500+51.53 грн
1000+46.18 грн
2500+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tmd.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+181.31 грн
250+113.03 грн
500+97.71 грн
1000+75.11 грн
2500+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FAIRS45207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.