FQD3P50TM

FQD3P50TM onsemi / Fairchild


FQD3P50TM_D-2313677.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V P-Channel QFET
на замовлення 65280 шт:

термін постачання 850-859 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.04 грн
10+ 81.16 грн
100+ 54.75 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 37.8 грн
2500+ 36.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD3P50TM onsemi / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD3P50TM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD3P50TM FQD3P50TM
Код товару: 86765
fqd3p50tm-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній