FQD3P50TM

FQD3P50TM ON Semiconductor


fqd3p50tm-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD3P50TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FQD3P50TM за ціною від 35.14 грн до 118.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+90.68 грн
10+ 67.08 грн
19+ 46.38 грн
50+ 43.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.59 грн
10+ 75.57 грн
100+ 58.76 грн
500+ 46.74 грн
1000+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD3P50TM_D-2313677.pdf MOSFET 500V P-Channel QFET
на замовлення 53688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.9 грн
10+ 82.72 грн
100+ 56.86 грн
500+ 48.16 грн
1000+ 39.25 грн
2500+ 36.58 грн
5000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.82 грн
10+ 83.59 грн
19+ 55.66 грн
50+ 52.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ONSEMI FAIRS45207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 12012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.35 грн
10+ 90.68 грн
100+ 66.32 грн
500+ 52.16 грн
1000+ 38.27 грн
5000+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD3P50TM FQD3P50TM
Код товару: 86765
fqd3p50tm-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM FQD3P50TM Виробник : ON Semiconductor fqd3p50tm-d.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній