Продукція > ONSEMI > FQD5N60CTM
FQD5N60CTM

FQD5N60CTM onsemi

fqu5n60c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.20 грн
5000+31.55 грн
7500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5N60CTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD5N60CTM за ціною від 30.65 грн до 126.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+48.23 грн
260+47.67 грн
282+44.03 грн
283+42.24 грн
500+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.68 грн
25+51.07 грн
100+45.49 грн
250+41.91 грн
500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 21993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.80 грн
10+53.04 грн
100+39.56 грн
500+34.73 грн
1000+34.12 грн
2500+31.10 грн
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 15171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.57 грн
10+77.61 грн
100+52.15 грн
500+38.68 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM Виробник : ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.