Продукція > ONSEMI > FQD5N60CTM
FQD5N60CTM

FQD5N60CTM onsemi

fqu5n60c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5N60CTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD5N60CTM за ціною від 36.50 грн до 142.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD5N60CTM FQD5N60CTM ON Semiconductor fqu5n60cd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+88.97 грн
170+87.20 грн
218+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM ON Semiconductor fqu5n60cd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.48 грн
10+88.97 грн
25+87.20 грн
100+65.44 грн
250+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 43202 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+131.63 грн
10+74.10 грн
100+48.08 грн
500+41.72 грн
1000+39.22 грн
2500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.95 грн
10+87.59 грн
50+65.98 грн
100+55.37 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60cd.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+88.97 грн
170+87.20 грн
218+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60cd.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.48 грн
10+88.97 грн
25+87.20 грн
100+65.44 грн
250+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 43202 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.63 грн
10+74.10 грн
100+48.08 грн
500+41.72 грн
1000+39.22 грн
2500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.95 грн
10+87.59 грн
50+65.98 грн
100+55.37 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.