Продукція > ONSEMI > FQD5N60CTM
FQD5N60CTM

FQD5N60CTM onsemi

fqu5n60c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.47 грн
5000+32.69 грн
7500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5N60CTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD5N60CTM за ціною від 32.34 грн до 149.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+49.72 грн
260+49.14 грн
282+45.39 грн
283+43.55 грн
500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.27 грн
25+52.65 грн
100+46.90 грн
250+43.20 грн
500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 46966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.10 грн
10+55.97 грн
100+41.74 грн
500+36.64 грн
1000+36.00 грн
2500+32.82 грн
5000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 12661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.83 грн
10+80.40 грн
100+54.04 грн
500+40.08 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : onsemi EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 46966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
10+93.43 грн
100+54.48 грн
500+44.68 грн
1000+39.03 грн
2500+35.92 грн
5000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM Виробник : ON Semiconductor fqu5n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM Виробник : ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.