на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.73 грн |
| 10+ | 56.07 грн |
| 100+ | 43.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD5P10TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQD5P10TM за ціною від 60.54 грн до 73.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD5P10TM | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FQD5P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| FQD5P10TM | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V P-Channel QFET |
на замовлення 3042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||
 |
FQD5P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||
| FQD5P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||
| FQD5P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.28A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
FQD5P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
товар відсутній |
|||||||
| FQD5P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.28A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 25W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |