Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD5P10TM
FQD5P10TM

FQD5P10TM ON Semiconductor

fqd5p10-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+62.46 грн
100+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD5P10TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQD5P10TM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD5P10TM FQD5P10TM Виробник : ON Semiconductor fqd5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM FQD5P10TM Виробник : ONSEMI fqd5p10-d.pdf Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQD5P10-1306357.pdf MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM FQD5P10TM Виробник : ON Semiconductor fqd5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM Виробник : ON Semiconductor fqd5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM Виробник : ONSEMI fqd5p10-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM FQD5P10TM Виробник : ON Semiconductor fqd5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM Виробник : ONSEMI fqd5p10-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.