Технічний опис FQD6N50CTM ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.7A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 61W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 25nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQD6N50CTM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD6N50CTM | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FQD6N50CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 61W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FQD6N50CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK |
товар відсутній |
|
|
|
FQD6N50CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 61W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |