Продукція > ONSEMI > FQD7N20LTM
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM onsemi

FQD7N20L-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.44 грн
5000+20.86 грн
7500+19.99 грн
12500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD7N20LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD7N20LTM за ціною від 20.76 грн до 89.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
885+35.23 грн
1000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 885
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD7N20L-D.pdf MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.28 грн
10+50.45 грн
100+30.49 грн
500+26.69 грн
1000+24.25 грн
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.79 грн
16+54.93 грн
100+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : onsemi FQD7N20L-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 69083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.64 грн
10+54.33 грн
100+35.84 грн
500+26.18 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI FQD7N20L-D.pdf FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.62 грн
35+32.60 грн
95+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ON Semiconductor fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3671375337975692fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.