FQD7N20LTM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.74 грн |
| 5000+ | 19.70 грн |
| 7500+ | 19.33 грн |
| 12500+ | 17.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD7N20LTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQD7N20LTM за ціною від 20.55 грн до 79.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD7N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.48A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 9nC |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7N20LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 86733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD7N20LTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.48A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 9nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD7N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FQD7N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |