Продукція > ONSEMI > FQD7N20LTM
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM onsemi

FQD7N20L-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.08 грн
5000+19.65 грн
7500+18.83 грн
12500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD7N20LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm.

Інші пропозиції FQD7N20LTM за ціною від 18.80 грн до 93.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FQD7N20LTM FQD7N20LTM ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM onsemi / Fairchild FQD7N20L-D.pdf MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.11 грн
10+45.71 грн
100+27.62 грн
500+24.18 грн
1000+21.97 грн
2500+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM onsemi FQD7N20L-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+51.19 грн
100+33.77 грн
500+24.67 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.22 грн
14+57.46 грн
100+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM 2907425.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20L-D.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.11 грн
10+45.71 грн
100+27.62 грн
500+24.18 грн
1000+21.97 грн
2500+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20L-D.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.46 грн
10+51.19 грн
100+33.77 грн
500+24.67 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM 2907425.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.22 грн
14+57.46 грн
100+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.