Продукція > ONSEMI > FQD8P10TM-F085
FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085 onsemi

fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.97 грн
5000+32.28 грн
7500+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM-F085 onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQD8P10TM-F085 за ціною від 31.21 грн до 145.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi / Fairchild FQD8P10TM_F085-D.PDF MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.09 грн
10+65.12 грн
100+43.64 грн
500+36.66 грн
1000+33.73 грн
2500+31.77 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.05 грн
10+78.52 грн
100+52.94 грн
500+39.40 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.01 грн
10+88.33 грн
100+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 ONN fqd8p10tm_f085-d.pdf
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM_F085-D.PDF
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.09 грн
10+65.12 грн
100+43.64 грн
500+36.66 грн
1000+33.73 грн
2500+31.77 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.05 грн
10+78.52 грн
100+52.94 грн
500+39.40 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.01 грн
10+88.33 грн
100+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085.pdf
FQD8P10TM_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085.pdf
FQD8P10TM_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.