Продукція > ONSEMI > FQD8P10TM-F085
FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085 onsemi

fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.24 грн
5000+31.63 грн
7500+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM-F085 onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQD8P10TM-F085 за ціною від 35.93 грн до 125.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.47 грн
10+76.94 грн
100+51.87 грн
500+38.60 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi / Fairchild FQD8P10TM_F085-D.PDF MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 ONN fqd8p10tm_f085-d.pdf
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.47 грн
10+76.94 грн
100+51.87 грн
500+38.60 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085.pdf
FQD8P10TM_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085.pdf
FQD8P10TM_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM_F085-D.PDF
FQD8P10TM-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.