Продукція > ONSEMI > FQD8P10TM-F085
FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085 onsemi

fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.74 грн
5000+32.07 грн
7500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM-F085 onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FQD8P10TM-F085 за ціною від 31.01 грн до 127.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.41 грн
500+46.53 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FQD8P10TM_F085-D.PDF MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.57 грн
10+64.71 грн
100+43.36 грн
500+36.43 грн
1000+33.51 грн
2500+31.57 грн
5000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.23 грн
50+87.42 грн
100+62.41 грн
500+46.53 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.47 грн
10+57.37 грн
100+38.72 грн
500+34.34 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.23 грн
10+78.02 грн
100+52.60 грн
500+39.15 грн
1000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 Виробник : ONN fqd8p10tm_f085-d.pdf
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 Виробник : ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.