FQD8P10TM ON Semiconductor
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD8P10TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQD8P10TM за ціною від 20.47 грн до 104.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD8P10TM | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
на замовлення 18570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FQD8P10TM | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FQD8P10TM | Виробник : ONSEMI |
FQD8P10TM SMD P channel transistors |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |