Продукція > ONSEMI > FQD8P10TM
FQD8P10TM

FQD8P10TM onsemi

fqu8p10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.87 грн
10+ 43.49 грн
100+ 30.11 грн
500+ 23.61 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD8P10TM за ціною від 18.51 грн до 57.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi / Fairchild FQU8P10_D-2314064.pdf MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 44983 шт:
термін постачання 349-358 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.1 грн
10+ 48.78 грн
100+ 29.43 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 20.91 грн
2500+ 18.58 грн
5000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD8P10TM Виробник : ON-Semicoductor fqu8p10-d.pdf P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQD8P10TM Виробник : ONSEMI fqu8p10-d.pdf FQD8P10TM SMD P channel transistors
товар відсутній
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товар відсутній