Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD8P10TM
FQD8P10TM

FQD8P10TM ON Semiconductor

fqu8p10.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQD8P10TM за ціною від 19.63 грн до 87.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.72 грн
500+30.15 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.82 грн
8+52.50 грн
10+45.82 грн
50+33.49 грн
100+29.43 грн
500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.00 грн
10+51.71 грн
100+34.02 грн
500+24.80 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi / Fairchild 396D93340F0AEA8FE161F0B4B1F2ABEC420FE27730287D9A07D7B46C149EE165.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 18730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.14 грн
10+57.26 грн
100+32.76 грн
500+25.51 грн
1000+23.14 грн
2500+21.00 грн
5000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.21 грн
50+61.08 грн
100+41.72 грн
500+30.15 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.38 грн
5+65.43 грн
10+54.98 грн
50+40.19 грн
100+35.32 грн
500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM Виробник : ON-Semicoductor fqu8p10-d.pdf P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.