Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD8P10TM
FQD8P10TM

FQD8P10TM ON Semiconductor

fqu8p10.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD8P10TM ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD8P10TM за ціною від 21.12 грн до 82.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.17 грн
10+40.97 грн
35+26.00 грн
95+24.57 грн
1000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.40 грн
10+51.05 грн
35+31.20 грн
95+29.48 грн
1000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.00 грн
10+52.53 грн
100+34.79 грн
500+25.36 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : onsemi / Fairchild fqu8p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 24147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.88 грн
10+58.92 грн
25+51.16 грн
100+33.89 грн
500+26.78 грн
1000+23.73 грн
2500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM Виробник : ON-Semicoductor fqu8p10-d.pdf P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM Виробник : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.