Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQE10N20CTU
FQE10N20CTU

FQE10N20CTU Fairchild Semiconductor

FAIRS25241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 12.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
на замовлення 20419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQE10N20CTU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-126-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 12.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V.

Інші пропозиції FQE10N20CTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQE10N20CTU FQE10N20CTU Виробник : onsemi FQE10N20C.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-126-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.