
FQI27N25TU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
189+ | 119.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQI27N25TU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQI27N25TU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQI27N25TU | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FQI27N25TU | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQI27N25TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |