Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQI5N60CTU

FQI5N60CTU Fairchild Semiconductor

Name: FQI5N60CTU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 12472393-3
Price: 21990.54 UAH
Availability: InStock

FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 34688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
286+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQI5N60CTU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQI5N60CTU

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQI5N60CTU	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series	на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FQI5N60CTU	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQI5N60CTU	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQI5N60CTU	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQI5N60CTU	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.