
FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
952+ | 23.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQI7N10LTU за ціною від 27.65 грн до 27.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQI7N10LTU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|