FQI7N60TU onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.66 грн |
| 10+ | 157.47 грн |
| 100+ | 125.32 грн |
| 500+ | 99.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQI7N60TU onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQI7N60TU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQI7N60TU | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel QFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FQI7N60TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товар відсутній |