FQI8N60CTU onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 121.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQI8N60CTU onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQI8N60CTU за ціною від 102.45 грн до 210.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQI8N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQI8N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQI8N60CTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQI8N60CTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQI8N60CTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQI8N60CTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQI8N60CTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQI8N60CTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FQI8N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FQI8N60CTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |