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Технічний опис FQN1N50CTA onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 890mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQN1N50CTA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FQN1N50CTA | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 890mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQN1N50CTA | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQN1N50CTA |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQN1N50CTA |
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Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)