Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQN1N50CTA
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA onsemi / Fairchild

FQN1N50C_D-2313650.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/500V 0.38A/6OHM
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.31 грн
10+41.03 грн
100+24.72 грн
500+20.67 грн
1000+17.58 грн
2000+15.60 грн
4000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQN1N50CTA onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 890mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FQN1N50CTA за ціною від 18.16 грн до 70.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : ONSEMI 1863450.pdf Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.39 грн
21+40.19 грн
100+30.87 грн
500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : onsemi fqn1n50c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+42.38 грн
100+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA Виробник : ON Semiconductor fqn1n50c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA Виробник : ON Semiconductor fqn1n50c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : ON Semiconductor fqn1n50c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : onsemi fqn1n50c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Виробник : ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.