Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQN1N60CTA
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA Fairchild Semiconductor

FAIRS46432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 37002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1461+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 1461
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQN1N60CTA Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQN1N60CTA за ціною від 11.95 грн до 66.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : onsemi fqn1n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.64 грн
4000+14.67 грн
6000+13.98 грн
10000+12.39 грн
14000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : onsemi / Fairchild FQN1N60C_D-1809836.pdf MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 17559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.93 грн
10+44.84 грн
100+28.54 грн
500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : onsemi fqn1n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+39.24 грн
100+25.50 грн
500+18.35 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : ON Semiconductor fqn1n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.