FQNL2N50BTA Fairchild


ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQNL2N50BTA Fairchild

Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads).

Інші пропозиції FQNL2N50BTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA Виробник : onsemi / Fairchild FQNL2N50B_D-2313651.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.