Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP10N20C
FQP10N20C

FQP10N20C Fairchild Semiconductor

fqpf10n20c-d.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 17045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP10N20C Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP10N20C за ціною від 42.87 грн до 129.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+77.20 грн
168+73.86 грн
289+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+88.79 грн
10+87.73 грн
25+83.93 грн
50+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF10N20C_D-2314039.pdf MOSFET 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.46 грн
10+115.46 грн
100+78.51 грн
500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C Виробник : Fairchild fqpf10n20c-d.pdf FQPF10N20C-D.pdf
на замовлення 33924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor fqpf10n20c-d.pdf FQPF10N20C-D.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : onsemi FQPF10N20C-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.