FQP11N40C
Код товару: 203650
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQP11N40C за ціною від 32.51 грн до 193.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP11N40C | Fairchild |
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQP11N40C | Fairchild |
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP11N40C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP11N40C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP11N40C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP11N40C | onsemi |
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FQP11N40C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQP11N40C |
|
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 32.51 грн |
| FQP11N40C |
|
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 32.51 грн |
| FQP11N40C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 98.84 грн |
| 10+ | 91.61 грн |
| 100+ | 89.20 грн |
| FQP11N40C |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.76 грн |
| 10+ | 95.35 грн |
| 50+ | 90.37 грн |
| FQP11N40C |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.73 грн |
| 50+ | 92.66 грн |
| 100+ | 83.54 грн |
| 500+ | 63.38 грн |
| 1000+ | 58.56 грн |
| 2000+ | 54.50 грн |
| FQP11N40C |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FQP11N40C |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF740PBF Код товару: 162988
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 698 шт
- 667 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 22uF 25V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR220M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 50509
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 5x7 mm
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 5x7 mm
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8618 шт
- 8482 шт - склад
- 75 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 153 шт
- 153 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 47uF 160V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR470M2CB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31674
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін. напруга: 160 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -25...+105°C
Габарити: 13x21 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін. напруга: 160 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -25...+105°C
Габарити: 13x21 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 131 шт
- 27 шт - склад
- 37 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| 47uF 16V EMRL 6,3x7mm (Super miniature size) (EMRL470M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1490
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін. напруга: 16 V
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 6,3x7 mm
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін. напруга: 16 V
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 6,3x7 mm
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9852 шт
- 9322 шт - склад
- 313 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 110 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 103 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.30 грн |