FQP11N40C ON Semiconductor
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP11N40C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQP11N40C за ціною від 29.70 грн до 99.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP11N40C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP11N40C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP11N40C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP11N40C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP11N40C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQP11N40C | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQP11N40C | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQP11N40C Код товару: 203650
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FQP11N40C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FQP11N40C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FQP11N40C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |