Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > FQP11N40C

FQP11N40C

FQPF11N40C-D.PDF
Код товару: 203650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQP11N40C за ціною від 32.51 грн до 200.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP11N40C FQP11N40C Fairchild info-tfqp11n40c.pdf N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
48+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C Fairchild info-tfqp11n40c.pdf N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.82 грн
132+107.75 грн
139+102.25 грн
500+93.13 грн
1000+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.46 грн
50+108.37 грн
100+102.84 грн
500+93.68 грн
1000+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.22 грн
10+103.64 грн
50+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
50+96.23 грн
100+86.75 грн
500+65.82 грн
1000+60.80 грн
2000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C info-tfqp11n40c.pdf
FQP11N40C
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C info-tfqp11n40c.pdf
FQP11N40C
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C fqpf11n40c-d.pdf
FQP11N40C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.82 грн
132+107.75 грн
139+102.25 грн
500+93.13 грн
1000+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C fqpf11n40c-d.pdf
FQP11N40C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.46 грн
50+108.37 грн
100+102.84 грн
500+93.68 грн
1000+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.22 грн
10+103.64 грн
50+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQPF11N40C-D.PDF
FQP11N40C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.70 грн
50+96.23 грн
100+86.75 грн
500+65.82 грн
1000+60.80 грн
2000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQPF11N40C-D.PDF
FQP11N40C
Виробник: onsemi
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.