Технічний опис FQP11P06 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP11P06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP11P06 Код товару: 34162
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||
 |
FQP11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
| FQP11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
FQP11P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |