FQP12P20

FQP12P20 ONSEMI


2303844.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+195.77 грн
10+ 171.21 грн
100+ 142.03 грн
500+ 108.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP12P20 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP12P20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP12P20 FQP12P20 Виробник : ON Semiconductor fqp12p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQP12P20 FQP12P20
Код товару: 46795
fqp12p20-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQP12P20 FQP12P20 Виробник : ON Semiconductor fqp12p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP12P20 FQP12P20 Виробник : onsemi fqp12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP12P20 FQP12P20 Виробник : onsemi / Fairchild FQP12P20_D-2314158.pdf MOSFET 200V P-Channel QFET
товар відсутній