Інші пропозиції FQP12P20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP12P20 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQP12P20 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
товару немає в наявності |