Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP13N06
FQP13N06

FQP13N06 Fairchild Semiconductor

FAIRS12308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 79627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP13N06 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQP13N06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP13N06 Виробник : FAIR FAIRS12308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP13N06.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06 FQP13N06 Виробник : onsemi FQP13N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.